Выравнивание напряженности электрического поля в конструкции кабельной арматуры

background image

background image

74

КАБЕЛЬНЫЕ 

ЛИНИИ

Выравнивание напряженности 
электрического поля в конструкции 
кабельной арматуры

Большинство

 

выходов

 

из

 

строя

 

кабельных

 

муфт

 

среднего

 

и

 

высокого

 

напряжения

 

связаны

 

с

 

неравномерным

 

распределением

 

напряженности

 

электрического

 

поля

 

в

 

месте

 

среза

 

полупроводящего

 

экрана

 

кабеля

Одним

 

из

 

критериев

 

надежности

 

ра

-

боты

 

муфты

 

является

 

эффективность

 

выравнивания

 

напряженности

 

электрического

 

поля

 (

ВНЭП

). 

Рассмотрим

 

существующие

 

технологии

 

ВНЭП

 

в

 

конструкции

 

кабельных

 

муфт

.

Д

ля

 

кабелей

 

с

 

пластмассовой

 

изоляцией

 

коаксиальной

 

конструкции

 

полупроводя

-

щий

  (

ПП

экран

 

обеспечивает

 

однородное

 

радиальное

 

распределение

 

электриче

-

ского

 

поля

 

по

 

изоляции

 

кабеля

 

и

 

предопределяет

 

соответствие

 

рабочей

 

и

 

проектной

 

напряженно

-

стей

 

электрического

 

поля

 (

НЭП

). 

Это

 

соответствие

 

нарушается

когда

 

кабельный

 

полупроводящий

 

экран

 

удаляется

 

во

 

время

 

разделки

 

кабеля

 

и

 

на

 

срезе

 

экрана

 

появляется

 

высокий

 

уровень

 

НЭП

 

(

рисунок

 1).

Имеются

 

два

 

основных

 

способа

 

выравнива

-

ния

 

напряженности

 

электрического

 

поля

  (

ВНЭП

для

 

того

чтобы

 

распределить

 

электрическое

 

поле

 

в

 

зоне

 

среза

 

экрана

 

и

 

вдоль

 

изоляции

 

до

 

приемле

-

мого

 

уровня

Первый

 

метод

 

использует

 

геометрию

 

форм

 

электродов

  (

объемный

), 

второй

 — 

полимер

-

ную

 

технологию

 (

поверхностный

). 

Эта

 

статья

 

посвя

-

щена

 

второму

 

методу

 

ВНЭП

.

Внедрение

 

сажевого

 

наполнителя

 

в

 

полимер

-

ную

 

молекулярную

 

структуру

 

стало

 

основой

 

для

 

создания

 

стресс

-

контроль

-

материала

При

 

измене

-

нии

 

количества

 

сажевого

 

наполнителя

 

в

 

полимер

-

ном

 

диэлектрике

 

меняется

 

его

 

объемное

 

сопротив

-

ление

Это

 

позволяет

 

осуществлять

 

ВНЭП

 

на

 

срезе

 

экрана

  (

рисунок

 2). 

При

 

создании

 

материала

 

для

 

ВНЭП

 

среднего

 

класса

 

напряжения

 

требуется

 

тща

-

тельный

 

подбор

 

типов

 

полимера

 

и

 

сажевого

 

напол

-

нителя

а

 

также

 

точность

 

соблюдения

 

концентра

-

ции

 

сажевого

 

наполнителя

 

при

 

его

 

изготовлении

 

(

рисунок

 3). 

С

 

точки

 

зрения

 

эффективности

 

поверхностные

 

технологии

 

ВНЭП

 

можно

 

разделить

 

на

 

линейные

нелинейные

 

и

 

варисторные

На

 

рисунке

 4 

пока

-

зана

 

зависимость

 

постоянного

 

тока

 

в

 

А

 

от

 

НЭП

 

в

 

кВ

/

см

.

Материалы

 

с

 

сажевым

 

наполнением

 

дают

 

ли

-

нейные

 

характеристики

  (

рисунок

  4

а

). 

Кроме

 

саже

-

вого

 

наполнителя

 

для

 

ВНЭП

 

используются

 

и

 

дру

-

гие

 

добавки

 (

например

, SiC 

и

 FeO), 

которые

 

имеют

 

Маркелов

 

И

.

А

.,

технический

 

директор

 

ООО

 «

Райтек

»

Рис

. 1. 

Распределение

 

электрического

 

поля

 

на

 

срезе

 

ПП

 

экрана

10%

10%

20%

20%

30%

30%

40%

40%

50%

50%

60%

60%

70%

70%

80%

80%

90%

90%

100%

Рис

. 2. 

Распределение

 

электрического

 

поля

 

на

 

срезе

 

ПП

 

экрана

 

с

 

материалом

 

ВНЭП

40% 50%

60%

70%

80%

90%

10% 20%

30%

нелинейные

 

характеристики

  (

рисунок

  4

б

). 

Нели

-

нейная

 

зависимость

 

поведения

 

электрического

 

поля

 

внутри

 

полимера

выполняющего

 

ВНЭП

по

-

зволяет

 

уменьшить

 

НЭП

 

при

 

перенапряжениях

 

и

 

испытаниях

.

Новая

 

система

 

управления

 

ВНЭП

 

основана

 

на

 

специальной

 

керамической

 

пудре

 

и

 

действует

 

по

 

другому

 

принципу

Множество

 

микроваристоров

 

составляют

 

объемную

 

структуру

электрические

 

свойства

 

которой

 

обязаны

 

свойствам

 

оксидо

-

цин

-

ковой

 (ZnO) 

структуры

Такая

 

структура

 

совершен

-


background image

75

но

 

отлична

 

от

 

технологии

 

сажевого

 

наполнителя

где

 

свойства

 

материала

 

для

 

ВНЭП

 

определяются

 

соотношением

 

содержания

 

сажевого

 (

или

 

другого

наполнителя

 

и

 

выбранного

 

полимера

Этот

 

мате

-

риал

 

демонстрирует

 

крайне

 

нелинейное

 

поведе

-

ние

 

и

 

имеет

 

пороговое

 

напряжение

 

аналогично

 

тому

как

 

это

 

происходит

 

в

 

диодах

 

и

 

варисторах

Эта

 

технология

 

компенсирует

 

избыточную

 

НЭП

 

материала

вызванную

 

переходными

 

процессами

 

и

 

импульсами

 

перенапряжения

которые

 

присущи

 

электрическим

 

сетям

что

 

обеспечивает

 

дополни

-

тельную

 

надежность

 

работы

Семейство

 

концевых

 

муфт

 

на

 

основе

 ZnO 

объединяет

 

варисторную

 

сис

-

тему

 

ВНЭП

 

с

 

трекингостойким

 

термоусаживаемым

 

полимером

Система

 

ВНЭП

 

гарантирует

 

эффек

-

тивное

 

распределение

 

НЭП

 

вдоль

 

концевой

 

за

-

делки

 

и

 

защищает

 

материал

 

в

 

местах

 

повышенной

 

НЭП

включая

 

эффект

 

ограничения

 

при

 

скачках

 

напряжения

.

В

 

муфтах

 

торговой

 

марки

 RT Raytech / «

РТ

 

Райтек

» 

мы

 

применяем

 

все

 

перечисленные

 

здесь

 

технологии

 

ВНЭП

выбирая

 

оптимальную

 

для

 

ре

-

шения

 

проектной

 

задачи

Надежность

 

и

 

запас

 

прочности

 

муфт

 

с

 

применением

 

той

 

или

 

иной

 

тех

-

нологии

 

ВНЭП

 

подтверждаются

 

дополнительными

 

внутренними

  (

в

 

лаборатории

 

ООО

  «

Райтек

») 

ис

-

пытаниями

 

муфт

 

с

 

измерением

 

уровней

 

частичных

 

разрядов

 (

ЧР

). 

Продолжая

 

традиции

накопленные

 

за

 30 

лет

 

работы

 

в

 

России

 

и

 

странах

 

СНГ

компания

 

Райтек

 

Рис

. 3. 

Схема

 

замещения

 

ВНЭП

 

по

 

поверхности

 

изоляции

C

C

 — 

емкость

 

кабеля

C

— 

емкость

 

слоя

R

I

 — 

сопротивление

 

изоляции

R

s

 — 

сопротивления

 

слоя

Слой

 

выравнивания

Срез

 

экрана

Жила

 

кабеля

C

C

R

R

I

Рис

. 4. 

Технологии

 

ВНЭП

а

 — 

линейная

б

 — 

нелинейная

в

 — 

варисторная

 

а

б

в

)

I

I

E

I

E

E

разрабатывает

 

и

 

производит

 

кабельную

 

арматуру

 

(

до

 52 

кВ

и

 

гарантирует

 

надежность

 

ее

 

работы

Мы

 

приглашаем

 

заинтересованных

 

специалистов

 

посетить

 

нашу

 

производственно

-

техническую

 

пло

-

щадку

 

в

 

Угличе

.  

Р

 1 (88) 2025


Оригинал статьи: Выравнивание напряженности электрического поля в конструкции кабельной арматуры

Читать онлайн

Большинство выходов из строя кабельных муфт среднего и высокого напряжения связаны с неравномерным распределением напряженности электрического поля в месте среза полупроводящего экрана кабеля. Одним из критериев надежности работы муфты является эффективность выравнивания напряженности электрического поля (ВНЭП). Рассмотрим существующие технологии ВНЭП в конструкции кабельных муфт.

Маркелов И.А., технический директор ООО «Райтек»

Для кабелей с пластмассовой изоляцией коаксиальной конструкции полупроводящий (ПП) экран обеспечивает однородное радиальное распределение электрического поля по изоляции кабеля и предопределяет соответствие рабочей и проектной напряженностей электрического поля (НЭП). Это соответствие нарушается, когда кабельный полупроводящий экран удаляется во время разделки кабеля и на срезе экрана появляется высокий уровень НЭП (рисунок 1).

Рис. 1. Распределение электрического поля на срезе ПП экрана

Имеются два основных способа выравнивания напряженности электрического поля (ВНЭП) для того, чтобы распределить электрическое поле в зоне среза экрана и вдоль изоляции до приемлемого уровня. Первый метод использует геометрию форм электродов (объемный), второй — полимерную технологию (поверхностный). Эта статья посвящена второму методу ВНЭП.

Рис. 2. Распределение электрического поля на срезе ПП экрана с материалом ВНЭП

Внедрение сажевого наполнителя в полимерную молекулярную структуру стало основой для создания стресс-контроль-материала. При изменении количества сажевого наполнителя в полимерном диэлектрике меняется его объемное сопротивление. Это позволяет осуществлять ВНЭП на срезе экрана (рисунок 2). При создании материала для ВНЭП среднего класса напряжения требуется тщательный подбор типов полимера и сажевого наполнителя, а также точность соблюдения концентрации сажевого наполнителя при его изготовлении (рисунок 3).

Рис 3. Схема замещения ВНЭП по поверхности изоляции

С точки зрения эффективности поверхностные технологии ВНЭП можно разделить на линейные, нелинейные и варисторные. На рисунке 4 показана зависимость постоянного тока в µА от НЭП в кВ/см.

Материалы с сажевым наполнением дают линейные характеристики (рисунок 4а). Кроме сажевого наполнителя для ВНЭП используются и другие добавки (например, SiC и FeO), которые имеют нелинейные характеристики (рисунок 4б). Нелинейная зависимость поведения электрического поля внутри полимера, выполняющего ВНЭП, позволяет уменьшить НЭП при перенапряжениях и испытаниях.

Рис. 4. Технологии ВНЭП: а — линейная, б — нелинейная, в — варисторная

Новая система управления ВНЭП основана на специальной керамической пудре и действует по другому принципу. Множество микроваристоров составляют объемную структуру, электрические свойства которой обязаны свойствам оксидо-цинковой (ZnO) структуры. Такая структура совершенно отлична от технологии сажевого наполнителя, где свойства материала для ВНЭП определяются соотношением содержания сажевого (или другого) наполнителя и выбранного полимера. Этот материал демонстрирует крайне нелинейное поведение и имеет пороговое напряжение аналогично тому, как это происходит в диодах и варисторах. Эта технология компенсирует избыточную НЭП материала, вызванную переходными процессами и импульсами перенапряжения, которые присущи электрическим сетям, что обеспечивает дополнительную надежность работы. Семейство концевых муфт на основе ZnO объединяет варисторную систему ВНЭП с трекингостойким термоусаживаемым полимером. Система ВНЭП гарантирует эффективное распределение НЭП вдоль концевой заделки и защищает материал в местах повышенной НЭП, включая эффект ограничения при скачках напряжения.

В муфтах торговой марки RT Raytech / «РТ Райтек» мы применяем все перечисленные здесь технологии ВНЭП, выбирая оптимальную для решения проектной задачи. Надежность и запас прочности муфт с применением той или иной технологии ВНЭП подтверждаются дополнительными внутренними (в лаборатории ООО «Райтек») испытаниями муфт с измерением уровней частичных разрядов (ЧР).

Продолжая традиции, накопленные за 30 лет работы в России и странах СНГ, компания Райтек разрабатывает и производит кабельную арматуру (до 52 кВ) и гарантирует надежность ее работы. Мы приглашаем заинтересованных специалистов посетить нашу производственно-техническую площадку в Угличе.

Поделиться:

«ЭЛЕКТРОЭНЕРГИЯ. Передача и распределение»