

74
КАБЕЛЬНЫЕ
ЛИНИИ
Выравнивание напряженности
электрического поля в конструкции
кабельной арматуры
Большинство
выходов
из
строя
кабельных
муфт
среднего
и
высокого
напряжения
связаны
с
неравномерным
распределением
напряженности
электрического
поля
в
месте
среза
полупроводящего
экрана
кабеля
.
Одним
из
критериев
надежности
ра
-
боты
муфты
является
эффективность
выравнивания
напряженности
электрического
поля
(
ВНЭП
).
Рассмотрим
существующие
технологии
ВНЭП
в
конструкции
кабельных
муфт
.
Д
ля
кабелей
с
пластмассовой
изоляцией
коаксиальной
конструкции
полупроводя
-
щий
(
ПП
)
экран
обеспечивает
однородное
радиальное
распределение
электриче
-
ского
поля
по
изоляции
кабеля
и
предопределяет
соответствие
рабочей
и
проектной
напряженно
-
стей
электрического
поля
(
НЭП
).
Это
соответствие
нарушается
,
когда
кабельный
полупроводящий
экран
удаляется
во
время
разделки
кабеля
и
на
срезе
экрана
появляется
высокий
уровень
НЭП
(
рисунок
1).
Имеются
два
основных
способа
выравнива
-
ния
напряженности
электрического
поля
(
ВНЭП
)
для
того
,
чтобы
распределить
электрическое
поле
в
зоне
среза
экрана
и
вдоль
изоляции
до
приемле
-
мого
уровня
.
Первый
метод
использует
геометрию
форм
электродов
(
объемный
),
второй
—
полимер
-
ную
технологию
(
поверхностный
).
Эта
статья
посвя
-
щена
второму
методу
ВНЭП
.
Внедрение
сажевого
наполнителя
в
полимер
-
ную
молекулярную
структуру
стало
основой
для
создания
стресс
-
контроль
-
материала
.
При
измене
-
нии
количества
сажевого
наполнителя
в
полимер
-
ном
диэлектрике
меняется
его
объемное
сопротив
-
ление
.
Это
позволяет
осуществлять
ВНЭП
на
срезе
экрана
(
рисунок
2).
При
создании
материала
для
ВНЭП
среднего
класса
напряжения
требуется
тща
-
тельный
подбор
типов
полимера
и
сажевого
напол
-
нителя
,
а
также
точность
соблюдения
концентра
-
ции
сажевого
наполнителя
при
его
изготовлении
(
рисунок
3).
С
точки
зрения
эффективности
поверхностные
технологии
ВНЭП
можно
разделить
на
линейные
,
нелинейные
и
варисторные
.
На
рисунке
4
пока
-
зана
зависимость
постоянного
тока
в
А
от
НЭП
в
кВ
/
см
.
Материалы
с
сажевым
наполнением
дают
ли
-
нейные
характеристики
(
рисунок
4
а
).
Кроме
саже
-
вого
наполнителя
для
ВНЭП
используются
и
дру
-
гие
добавки
(
например
, SiC
и
FeO),
которые
имеют
Маркелов
И
.
А
.,
технический
директор
ООО
«
Райтек
»
Рис
. 1.
Распределение
электрического
поля
на
срезе
ПП
экрана
10%
10%
20%
20%
30%
30%
40%
40%
50%
50%
60%
60%
70%
70%
80%
80%
90%
90%
100%
Рис
. 2.
Распределение
электрического
поля
на
срезе
ПП
экрана
с
материалом
ВНЭП
40% 50%
60%
70%
80%
90%
10% 20%
30%
нелинейные
характеристики
(
рисунок
4
б
).
Нели
-
нейная
зависимость
поведения
электрического
поля
внутри
полимера
,
выполняющего
ВНЭП
,
по
-
зволяет
уменьшить
НЭП
при
перенапряжениях
и
испытаниях
.
Новая
система
управления
ВНЭП
основана
на
специальной
керамической
пудре
и
действует
по
другому
принципу
.
Множество
микроваристоров
составляют
объемную
структуру
,
электрические
свойства
которой
обязаны
свойствам
оксидо
-
цин
-
ковой
(ZnO)
структуры
.
Такая
структура
совершен
-

75
но
отлична
от
технологии
сажевого
наполнителя
,
где
свойства
материала
для
ВНЭП
определяются
соотношением
содержания
сажевого
(
или
другого
)
наполнителя
и
выбранного
полимера
.
Этот
мате
-
риал
демонстрирует
крайне
нелинейное
поведе
-
ние
и
имеет
пороговое
напряжение
аналогично
тому
,
как
это
происходит
в
диодах
и
варисторах
.
Эта
технология
компенсирует
избыточную
НЭП
материала
,
вызванную
переходными
процессами
и
импульсами
перенапряжения
,
которые
присущи
электрическим
сетям
,
что
обеспечивает
дополни
-
тельную
надежность
работы
.
Семейство
концевых
муфт
на
основе
ZnO
объединяет
варисторную
сис
-
тему
ВНЭП
с
трекингостойким
термоусаживаемым
полимером
.
Система
ВНЭП
гарантирует
эффек
-
тивное
распределение
НЭП
вдоль
концевой
за
-
делки
и
защищает
материал
в
местах
повышенной
НЭП
,
включая
эффект
ограничения
при
скачках
напряжения
.
В
муфтах
торговой
марки
RT Raytech / «
РТ
Райтек
»
мы
применяем
все
перечисленные
здесь
технологии
ВНЭП
,
выбирая
оптимальную
для
ре
-
шения
проектной
задачи
.
Надежность
и
запас
прочности
муфт
с
применением
той
или
иной
тех
-
нологии
ВНЭП
подтверждаются
дополнительными
внутренними
(
в
лаборатории
ООО
«
Райтек
»)
ис
-
пытаниями
муфт
с
измерением
уровней
частичных
разрядов
(
ЧР
).
Продолжая
традиции
,
накопленные
за
30
лет
работы
в
России
и
странах
СНГ
,
компания
Райтек
Рис
. 3.
Схема
замещения
ВНЭП
по
поверхности
изоляции
C
C
—
емкость
кабеля
;
C
s
—
емкость
слоя
;
R
I
—
сопротивление
изоляции
;
R
s
—
сопротивления
слоя
Слой
выравнивания
Срез
экрана
Жила
кабеля
C
s
C
C
R
s
R
I
Рис
. 4.
Технологии
ВНЭП
:
а
—
линейная
,
б
—
нелинейная
,
в
—
варисторная
а
)
б
)
в
)
I
I
E
I
E
E
разрабатывает
и
производит
кабельную
арматуру
(
до
52
кВ
)
и
гарантирует
надежность
ее
работы
.
Мы
приглашаем
заинтересованных
специалистов
посетить
нашу
производственно
-
техническую
пло
-
щадку
в
Угличе
.
Р
№
1 (88) 2025
Оригинал статьи: Выравнивание напряженности электрического поля в конструкции кабельной арматуры
Большинство выходов из строя кабельных муфт среднего и высокого напряжения связаны с неравномерным распределением напряженности электрического поля в месте среза полупроводящего экрана кабеля. Одним из критериев надежности работы муфты является эффективность выравнивания напряженности электрического поля (ВНЭП). Рассмотрим существующие технологии ВНЭП в конструкции кабельных муфт.
Маркелов И.А., технический директор ООО «Райтек»
Для кабелей с пластмассовой изоляцией коаксиальной конструкции полупроводящий (ПП) экран обеспечивает однородное радиальное распределение электрического поля по изоляции кабеля и предопределяет соответствие рабочей и проектной напряженностей электрического поля (НЭП). Это соответствие нарушается, когда кабельный полупроводящий экран удаляется во время разделки кабеля и на срезе экрана появляется высокий уровень НЭП (рисунок 1).

Имеются два основных способа выравнивания напряженности электрического поля (ВНЭП) для того, чтобы распределить электрическое поле в зоне среза экрана и вдоль изоляции до приемлемого уровня. Первый метод использует геометрию форм электродов (объемный), второй — полимерную технологию (поверхностный). Эта статья посвящена второму методу ВНЭП.

Внедрение сажевого наполнителя в полимерную молекулярную структуру стало основой для создания стресс-контроль-материала. При изменении количества сажевого наполнителя в полимерном диэлектрике меняется его объемное сопротивление. Это позволяет осуществлять ВНЭП на срезе экрана (рисунок 2). При создании материала для ВНЭП среднего класса напряжения требуется тщательный подбор типов полимера и сажевого наполнителя, а также точность соблюдения концентрации сажевого наполнителя при его изготовлении (рисунок 3).

С точки зрения эффективности поверхностные технологии ВНЭП можно разделить на линейные, нелинейные и варисторные. На рисунке 4 показана зависимость постоянного тока в µА от НЭП в кВ/см.
Материалы с сажевым наполнением дают линейные характеристики (рисунок 4а). Кроме сажевого наполнителя для ВНЭП используются и другие добавки (например, SiC и FeO), которые имеют нелинейные характеристики (рисунок 4б). Нелинейная зависимость поведения электрического поля внутри полимера, выполняющего ВНЭП, позволяет уменьшить НЭП при перенапряжениях и испытаниях.

Новая система управления ВНЭП основана на специальной керамической пудре и действует по другому принципу. Множество микроваристоров составляют объемную структуру, электрические свойства которой обязаны свойствам оксидо-цинковой (ZnO) структуры. Такая структура совершенно отлична от технологии сажевого наполнителя, где свойства материала для ВНЭП определяются соотношением содержания сажевого (или другого) наполнителя и выбранного полимера. Этот материал демонстрирует крайне нелинейное поведение и имеет пороговое напряжение аналогично тому, как это происходит в диодах и варисторах. Эта технология компенсирует избыточную НЭП материала, вызванную переходными процессами и импульсами перенапряжения, которые присущи электрическим сетям, что обеспечивает дополнительную надежность работы. Семейство концевых муфт на основе ZnO объединяет варисторную систему ВНЭП с трекингостойким термоусаживаемым полимером. Система ВНЭП гарантирует эффективное распределение НЭП вдоль концевой заделки и защищает материал в местах повышенной НЭП, включая эффект ограничения при скачках напряжения.
В муфтах торговой марки RT Raytech / «РТ Райтек» мы применяем все перечисленные здесь технологии ВНЭП, выбирая оптимальную для решения проектной задачи. Надежность и запас прочности муфт с применением той или иной технологии ВНЭП подтверждаются дополнительными внутренними (в лаборатории ООО «Райтек») испытаниями муфт с измерением уровней частичных разрядов (ЧР).
Продолжая традиции, накопленные за 30 лет работы в России и странах СНГ, компания Райтек разрабатывает и производит кабельную арматуру (до 52 кВ) и гарантирует надежность ее работы. Мы приглашаем заинтересованных специалистов посетить нашу производственно-техническую площадку в Угличе.
