«КАБЕЛЬ-news», декабрь-январь 2009/2010
80
Производство
ÝÒÀËÎÍ
Государственный первичный эталон
единиц относительных диэлектрической
и магнитной проницаемостей
в диапазоне частот от 1 МГц до 18 ГГц
В октябре 2009 года приказом Фе-
дерального агентства по техническому
регулированию и метрологии утверж-
ден новый Государственный первич-
ный эталон единиц относительных
диэлектрической и магнитной про-
ницаемостей в диапазоне частот от 1
МГц до 18 ГГц. Развитие электронного
приборостроения и микроэлектро-
ники, радиолокации и средств свя-
зи, телевидения и информационно-
телекомуникационных систем в
существенной степени зависит от ме-
трологического обеспечения техноло-
гий производства новых перспективных
материалов для ВЧ и СВЧ диапазонов.
В настоящее время перед промыш-
ленностью стоит задача разработки
новых радиотехнических материалов,
а также методов и средств измерений
относительной комплексной диэлек-
трической и магнитной проницаемос-
тей материалов в широком диапазоне
частот вплоть до 100 ГГц.
Ряд ведущих предприятий России,
среди которых концерн Алмаз-Антей,
ОАО «Гириконд», ОКБ Кабельной про-
мышленности, ЦКБ Радиоматериалов,
научно-производственная фирма «Ми-
кран» и др., поставили перед ФГУП
«СНИИМ» и Ростехрегулированием
задачу расширения пределов воспро-
изводимых и передаваемых единиц
относительной диэлектрической и
магнитной проницаемости в диапазон
частот до 20 ГГц и обеспечения един-
ства измерений электромагнитных
свойств материалов на ВЧ и СВЧ.
Эти предприятия разрабатыва-
ют новые современные материалы в
широком диапазоне электромагнит-
ных свойств, различные элементы и
устройства СВЧ техники, в том числе
и в оборонном комплексе. Некоторые
материалы и изделия на их основе
представлены на рис. 1.
Для всех этих элементов электро-
магнитные свойства материалов и
устройства должны измеряться и
контролироваться с высокой степе-
нью точности. Ключевую роль при
этих разработках играют методы из-
мерения электромагнитных свойств
материалов на высоких и сверхвысо-
ких частотах при различных внешних
воздействиях. Оборудование для ис-
пытаний электронной компонентной
базы стратегически значимых для на-
циональной безопасности объектов
также нуждается в метрологическом
обеспечении.
Н.М. Карих
, канд. техн. наук,
В.Ф. Матвейчук
, канд. техн. наук,
А.В. Серов, С.Н. Сибирцев, Н.Н. Черноусова,
канд. техн. наук
Рис.1. Диэлектрические резонаторы, устройства селекции, фильтры,
планарные конденсаторы, подложки и другие изделия
«КАБЕЛЬ-news», декабрь-январь 2009/2010
81
Производство
ÝÒÀËÎÍ
Отсутствие метрологического обе-
спечения измерений электромагнит-
ных свойств радиоматериалов в Рос-
сии в диапазоне частот от 10 до 20 ГГц,
является сдерживающим фактором
отечественного приборостроения, в
том числе и в оборонном комплексе.
ФГУП «СНИИМ» в соответствии с
Приказом Госстандарта является го-
ловной организацией в области обе-
спечения единства измерений элек-
тромагнитных свойств материалов на
ВЧ и СВЧ. В 2006 году Федеральным
агентством по техническому регулиро-
ванию и метрологии была поставлена
работа по созданию Государственного
первичного эталона единиц относи-
тельных диэлектрической и магнитной
проницаемостей в диапазоне частот
от 1 МГц до 18 ГГц для обеспечения по-
требностей промышленности в метро-
логическом обеспечении разработки,
производства, как материалов, так и
изделий на их основе. При создании
эталона использованы научные раз-
работки, полученные по выполненным
в институте договорам с различными
предприятиями России. Максимально
использован зарубежный опыт веду-
щих лабораторий мира NIST и NPL, а
также рекомендации Международных
организаций, в частности, Междуна-
родной электротехнической комис-
сии (МЭК) по методам измерений [1]
и МБМВ в части оценки стандартных
неопределенностей результатов изме-
рений [2].
Государственный первичный эта-
лон единиц относительных диэлектри-
ческой и магнитной проницаемостей
ГЭТ 174-2009 предназначен для вос-
произведения, хранения единиц отно-
сительных диэлектрической, магнит-
ной проницаемостей и тангенса угла
диэлектрических и магнитных потерь
в диапазоне частот от 1 МГц до 18 ГГц и
передачи единиц с помощью эталонов
средствам измерений, применяемым в
производственной и научной сферах
экономики с целью обеспечения един-
ства измерений в стране.
Государственный первичный эта-
лон единиц относительных диэлектри-
ческой и магнитной проницаемостей
представляет собой комплекс средств
измерений, в состав которого входят:
• эталонная установка для воспро-
изведения единиц относительной маг-
нитной проницаемости (
μ
΄) и тангенса
угла магнитных потерь (
tgδ
μ
) в диапа-
зоне частот от 1 до 200 МГц, ЭУ — 1;
• эталонная установка для воспро-
изведения единиц относительной диэ-
лектрической проницаемости (ε΄) в ди-
апазоне частот от 1 до 200 МГц, ЭУ — 2;
• эталонная установка для воспро-
изведения единиц относительных
диэлектрической (
ε
΄) и магнитной (
μ
΄)
проницаемостей и тангенса угла диэ-
лектрических (
tgδ
ε
) и магнитных (
tgδ
μ
)
потерь в диапазоне частот от 600 МГц
до 4 ГГц, ЭУ — 3;
• эталонная установка для воспроиз-
ведения единиц относительной диэ-
лектрической проницаемости (
ε
΄) и
тангенса угла диэлектрических потерь
(
tgδ
ε
) в диапазоне частот от 200 МГц до
2 ГГц, ЭУ — 4;
• эталонная установка для воспроиз-
ведения единиц относительной диэ-
лектрической проницаемости (
ε
΄) и
тангенса угла диэлектрических потерь
(
tgδ
ε
) в диапазоне частот от 1 до 18 ГГц
(на основе конструкции радиального
волновода), ЭУ — 5;
• эталонная установка для воспроиз-
ведения единиц относительной диэ-
лектрической проницаемости (
ε
΄) и
тангенса угла диэлектрических потерь
(
tgδ
ε
) в диапазоне частот от 1 до 18 ГГц
(на основе конструкции круглого вол-
новода), ЭУ — 6;
• меры единиц относительных диэ-
лектрической и магнитной проницае-
мостей и тангенса угла диэлектриче-
ских и магнитной потерь;
• программное обеспечение для эта-
лонных установок.
Обобщенная структурная схема
эталона представлена на рис. 2.
Эталонная установка ЭУ-1 (рис. 3)
воспроизводит единицы относитель-
ной магнитной проницаемости от 1,5
до 100 и тангенса угла магнитных по-
терь от 1
·
10
–3
до 1 в диапазоне частот
от 1 до 200 МГц. Компаратор ЭУ-1 вы-
полнен по схеме двойного Т-образного
моста. Особенностями Т-схем является
возможность включения источника
Рис. 2. Структурная схема эталона
«КАБЕЛЬ-news», декабрь-январь 2009/2010
82
Производство
ÝÒÀËÎÍ
тока и нулевого индикатора так, что
они имеют общую заземленную точку.
В этом случае емкости и проводимо-
сти утечек, существующие между со-
противлениями и экранами или между
экранами и землей, включены парал-
лельно и вход генератора не шунти-
рует отдельные участки схемы. Суще-
ственным обстоятельством является и
то, что один из полюсов измеряемого
сопротивления (проводимости) мож-
но подключить к заземленной точке.
Это дает возможность обеспечить вы-
сокую точность измерения на высоких
частотах. Т-схемы работают по принци-
пу резонансных схем, поэтому они ча-
стотно зависимы, что определяет до-
полнительные требования к частотной
стабильности генераторов. Отсчетны-
ми элементами являются переменные
конденсаторы, как по реактивной, так
и активной составляющей измеряемой
проводимости.
Для воспроизведения единиц от-
носительной магнитной проницаемо-
сти от 1,5 до 100 разработаны десять
мер, выполненных в виде расчетных
короткозамкнутых отрезков коакси-
альной линий различной длины.
В основу метода воспроизведения
единиц магнитной проницаемости по-
ложены волновые свойства воздушных
коаксиальных линий.
Входное сопротивление корот-
козамкнутого отрезка коаксиальной
линии
Z
связано с магнитной прони-
цаемостью заполняющей среды
μ
´ и
длиной
l
отрезка соотношением:
(1)
Искомое расчетное значение еди-
ницы относительной магнитной про-
ницаемости определяется по форму-
ле [3]:
(2)
Тангенс угла магнитных потерь вос-
производится компаратором, через
его постоянную
К
, которую опреде-
ляют при аттестации компаратора. На
клеммах компаратора определяют
полную проводимость
Y
вх
= g
вх
+јb
вх
, g
вх
= КΔС
n
,
b
вх
= ωΔC
в
,
(3)
Эталонная установка ЭУ-2 (рис. 4)
воспроизводит единицы относитель-
ной диэлектрической проницаемости
от 1,5 до 20 в диапазоне частот от 1 до
200 МГц. Компаратор ЭУ-2 выполнен по
резонансной схеме. Воспроизведение
единицы относительной диэлектриче-
ской проницаемости
ε'
производится
расчетными мерами, выполненными в
виде разомкнутых отрезков коаксиаль-
ной линии с воздушным заполнением
различной длины. Метод воспроизве-
дения основан на волновых свойствах
коаксиальной линии.
Входное сопротивление разомкну-
того отрезка линии, заполненного воз-
духом, выражается как
Рис.3. Эталонная установка ЭУ-1
Рис.4. Эталонная установка ЭУ-2
«КАБЕЛЬ-news», декабрь-январь 2009/2010
83
Производство
ÝÒÀËÎÍ
(4)
Воспроизводимое значение диэ-
лектрической проницаемости опреде-
ляется частотой и длиной коаксиаль-
ного отрезка
l
ко
.
(5)
Эталонная установка ЭУ–3 (рис. 5)
воспроизводит единицы относитель-
ных диэлектрической и магнитной
проницаемостей от 1,2 до 20, тангенса
угла диэлектрических от 1·10
-4
до 1·10
-2
и магнитных потерь от 1·10
-4
до 1·10
-1
в диапазоне частот от 0,6 до 4,0 ГГц.
В основу положен метод измерения
параметров материалов в коаксиаль-
ном резонаторе переменной длины,
при котором измеряемый образец
помещается в разрыв внутреннего и
внешнего проводников резонатора
в максимум магнитной или электри-
ческой составляющих электромаг-
нитного поля, так называемый метод
«короткого замыкания» и «холостого
хода». При этом измеряют изменения
резонансной длины и добротности
пустого резонатора — компаратора и
при внесении в него меры. На основа-
нии решения электродинамической
задачи получены измерительные урав-
нения, которые связывают воспроиз-
водимые параметры
ε
΄,
μ
΄,
tgδ
ε
,
tgδ
μ
с
измеряемыми величинами — частотой
электромагнитных колебаний, доброт-
ностью резонатора, геометрическими
размерами резонатора и меры.
Эталонные меры представляют
собой отрезки коаксиальной линии,
заполненные воздухом, диэлектри-
ческим (стекло кварцевое, корунд) и
ферромагнитным (ферроэпоксид) ма-
териалами.
Значения
ε
΄,
tgδ
ε
и
μ
΄,
tgδ
μ
, воспро-
изводимые мерами, рассчитывают по
формулам [3]
(6)
(7)
tgδ
ε
= ε˝
/
ε΄, tgδ
μ
= μ˝
/
μ΄
(8)
Эталонная установка ЭУ-4 (рис. 6)
воспроизводит единицы относитель-
ной диэлектрической проницаемости
Рис.5. Эталонная установка ЭУ-3
Рис.6. Эталонная установка ЭУ-4
«КАБЕЛЬ-news», декабрь-январь 2009/2010
84
Производство
ÝÒÀËÎÍ
от 1,2 до 30 и тангенса угла диэлек-
трических потерь от 1·10
-4
до 1·10
-1
в диапазоне частот от 0,2 до 2,0 ГГц.
Метод основан на использовании то-
роидального резонатора с частичным
заполнением измерительной ячей-
ки, в который введен дополнитель-
ный измерительный коаксиальный
конденсатор. Измерительная ячейка
представляет собой дисковый кон-
денсатор, образованный кольцевой
щелью во внутреннем электроде ре-
зонатора.
Весь частотный диапазон 0,2-2 ГГц
разбит на три поддиапазона: 0,2-0,5
ГГц, 0,4-1,5 ГГц, 1,0-2,0 ГГц, для каждого
из которых изготовлен резонатор.
При воспроизведении диэлектри-
ческой проницаемости и тангенса угла
диэлектрических потерь проводится
последовательно настройка резонато-
ра в резонанс с мерой и без нее, опре-
деляется смещение максимума и изме-
нение ширины резонансной кривой.
Меры единиц относительной диэ-
лектрической проницаемости и тан-
генса угла диэлектрических потерь вы-
полнены в виде плоскопараллельных
дисков из полиэтилена, пленки полии-
мидной и стеклотекстолита различных
диаметров.
Диэлектрическую проницаемость
определяют из решения трансцен-
дентного уравнения [3]
(9)
где
Эталонные установки ЭУ-5, ЭУ-6
(рис. 7) воспроизводят единицы от-
носительной диэлектрической про-
ницаемости от 1,2 до 400,0 и тангенса
угла диэлектрических потерь от 5·10
-5
до 1·10
-2
в диапазоне частот от 1 до
18 ГГц.
В основу эталонной установки
ЭУ-5 положен резонансный метод со-
гласно стандарту МЭК, при котором
используется электромагнитная систе-
ма, состоящая из запредельного ради-
ального волновода, в который по оси
помещается мера диэлектрической
проницаемости, и подвижных элемен-
тов возбуждения электромагнитных
колебаний Н
01n
типа.
Решение электродинамической
задачи позволяет получить расчет-
ные соотношения для электромаг-
нитной системы, которые связывают
параметры
ε
΄ и
tgδ
с измеряемыми
величинами — частотой, добротно-
стью электромагнитных колебаний и
геометрическими размерами меры
относительной диэлектрической про-
ницаемости и тангенса угла диэлек-
трических потерь.
Диэлектрическую проницаемость
и тангенс угла диэлектрических по-
терь меры рассчитывают из решения
трансцендентного уравнения [4, 5, 6]
,
(10)
где
(11)
где
В основу эталонной установки ЭУ-6
положен резонансный метод, при ко-
тором используется электромагнитная
система, состоящая из отрезка кругло-
го запредельного волновода, внутрь
которого помещается мера диэлектри-
ческой проницаемости такого же диа-
Рис.7. Эталонные установки Эу-5, ЭУ-6
«КАБЕЛЬ-news», декабрь-январь 2009/2010
85
Производство
ÝÒÀËÎÍ
метра. В этой системе возбуждаются
осесимметричные электромагнитные
колебания Н
0n
типов. Использование
Н
0n
типов колебаний обусловлено
структурой компонент электромаг-
нитных полей, характеризующейся
отсутствием нормальных составляю-
щих электрического поля на границе
волновод-образец, что исключает не-
обходимость металлизации поверх-
ности меры, прилегающей к стенкам
волновода. Для перекрытия диапазона
частот от 1 до 18 ГГц рассчитано семь
отрезков волноводов различного диа-
метра и длины (рис. 8).
Диэлектрическую проницаемость
ε
΄ и тангенс угла диэлектрических по-
терь
tgδ
мер рассчитывают из реше-
ния трансцендентного уравнения (12)
и уравнения (13)
(12)
где
.
(13)
где
Меры единиц относительной
диэлектрической проницаемости и
тангенса угла диэлектрических по-
терь выполнены в виде цилиндров
из керамики Д-10, В-40, В-120, BSM и
фторопласта-4 различных геометриче-
ских размеров.
Меры единиц относительных диэ-
лектрической, магнитной проницаемо-
стей и тангенса угла диэлектрических
и магнитных потерь Государственного
эталона представлены на рис. 9.
Одной из основных метрологиче-
ских характеристик эталона является
погрешность воспроизведения, выра-
женная в виде среднего квадратиче-
ского отклонения и неисключенной
систематической погрешности. Эта
погрешность определяется сумми-
рованием погрешностей результатов
прямых и косвенных измерений ха-
рактеристик, входящих в расчетные
соотношения диэлектрической, маг-
нитной проницаемости и тангенсов
угла диэлектрических и магнитных
потерь.
Оценка неисключенной система-
тической погрешности проводилась
на основании анализа источников
этой погрешности расчетным путем и
представлена в правилах хранения и
применения каждой эталонной уста-
новки.
Обобщенные среднеквадратиче-
ские отклонения, неисключенные си-
стематические погрешности и неопре-
деленности Государственного эталона
единиц относительных диэлектриче-
ской и магнитной проницаемостей
приведены в табл. 1.
Государственный первичный эта-
лон единиц относительных диэлектри-
ческой и магнитной проницаемостей в
Рис. 8. Отрезки волноводов
ЭУ-1
ЭУ-2
ЭУ-4
ЭУ-3
ЭУ-5, 6
Рис. 9. Меры единиц относительных диэлектрической и магнитной проницаемостей
и тангенса угла диэлектрических и магнитных потерь
«КАБЕЛЬ-news», декабрь-январь 2009/2010
86
Производство
ÝÒÀËÎÍ
диапазон частот от 1 МГц до 18 ГГц вос-
производит следующие единицы:
• диэлектрической проницаемости
ε
΄
от 1,2 до 400,0
• магнитной проницаемости
μ
΄
от 1,5 до 100,0
• тангенса угла диэлектрических по-
терь
tgδ
ε
от 5
·
10
-5
до 1
·
10
-2
• тангенса угла магнитных потерь
tgδ
μ
от 1
·
10
-3
до 1
Государственный эталон единиц
относительных диэлектрической и
магнитной проницаемости возглав-
ляет государственную поверочную
схему, которая обеспечивает просле-
живаемость передачи единиц от Госу-
дарственного эталона средствам из-
мерений через эталоны и стандартные
образцы. Поверочная схема обеспече-
на комплексом стандартных образцов,
имеющих статус государственных и
межгосударственных.
Парк средств измерений комплекс-
ной диэлектрической и магнитной
проницаемости в настоящее время в
России оценочно составляет более ты-
сячи штук.
Их основное назначение и области
применения:
• в оборонном комплексе — эле-
ментная база электронных систем и
комплексов, защита и маскировка объ-
ектов;
• в науке и технологии — при раз-
работке новых материалов с уникаль-
ными электромагнитными свойствами
для промышленного применения, а
также изделий на их основе;
• в метрологии и приборострое-
нии — при создании эталонов и
средств измерений электромагнитных
величин;
• в системах связи и телекоммуни-
кациях — обеспечение качества и на-
дежности как самих устройств, так их
параметров.
Ввод в действие эталона и государ-
ственной поверочной схемы позво-
ляет повысить точность определения
электромагнитных параметров радио-
технических материалов. Главным по-
казателем эффективности внедрения
эталона является обеспечение задач
промышленной метрологии: расши-
рение парка поверяемых средств из-
мерений, повышение точности изме-
рений, снижение брака выпускаемой
продукции. Благодаря этому обеспе-
чена потребность промышленности и
оборонного комплекса.
Литература
1 IEC 61338-1-3. Waveguide type dielectric resonators. Pt.
1–3: General information and test conditions — Measurement
method of complex relative permittivity for dielectric resonator
materials at microwave frequency. — 1999.
2 «Guide to the Expression of Uncertainty in Measurement»
published by the International Organisation for Standardisation
(ISO), Geneva, Switzerland, ISBN 92-67-10188-9, 1st edition
1993.
3 Матвейчук В.Ф., Сибирцев С.Н., Черноусова Н.Н., Карих
Н.М. Метрологическое обеспечение измерений электро-
магнитных свойств радиотехнических материалов на ВЧ и
СВЧ. Измерительная техника. 2004. №8. С.24—29.
4 Матвейчук В.Ф., Сибирцев С.Н., Карих Н.М., Серов А.В.
// Актуальные проблемы электронного приборостроения,
АПЭП–2004: Тр. VI Международной конференции — Ново-
сибирск. — 2004. — Т. 3. — С. 175—182.
5 Матвейчук В.Ф., Сибирцев С.Н., Карих Н.М. Измерения
электромагнитных свойств материалов с низкими потерями
на СВЧ методами диэлектрического резонатора. // Измери-
тельная техника. — 2004. — № 8. — С. 30—35.
6 МИ 00173-2000. ГСИ. Относительная диэлектрическая
проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь ма-
териалов с высокой проницаемостью в диапазоне частот
от 0.5 до 18 ГГц. Методика выполнения измерений методом
волноводно-диэлектрического резонатора.
Табл. 1. Метрологические характеристики эталона
Наименование характеристики
Значение
Среднее квадратическое отклонение
ε
΄,
μ
΄
0,0002 — 0,002
tgδ
ε
,
tgδ
μ
0,01 — 0,05
Неисключенная систематическая погрешность
ε
΄,
μ
΄
0,0006 — 0,006
tgδ
ε
,
tgδ
μ
0,03 — 0,1
Стандартная неопределенность, оцененная по типу А
ε
΄,
μ
΄
0,0002 — 0,002
tgδ
ε
,
tgδ
μ
0,01 — 0,05
Стандартная неопределенность, оцененная по типу B
ε
΄,
μ
΄
0,0003 — 0,003
tgδ
ε
,
tgδ
μ
0,01 — 0,04
Суммарная стандартная неопределенность
ε
΄,
μ
΄
0,0004 — 0,004
tgδ
ε
,
tgδ
μ
0,02 — 0,06
Расширенная неопределенность
ε
΄,
μ
΄
0,001 — 0,01
tgδ
ε
,
tgδ
μ
0,05 — 0,15
Оригинал статьи: Государственный первичный эталон единиц относительных диэлектрической и магнитной проницаемостей в диапазоне частот от 1 МГц до 18 ГГц
В октябре 2009 года приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии утвержден новый Государственный первичный эталон единиц относительных диэлектрической и магнитной проницаемостей в диапазоне частот от 1 МГц до 18 ГГц. Развитие электронного приборостроения и микроэлектроники, радиолокации и средств связи, телевидения и информационно-телекомуникационных систем в существенной степени зависит от метрологического обеспечения технологий производства новых перспективных материалов для ВЧ и СВЧ диапазонов.